J9 - 纳米级集成电路与SoC工程定制研发
作为面向硬核科技与工业基础设施的J9，我们提供涵盖规格定义、数字前端开发、模拟混合信号IP搭建、深纳米物理后端布局布线（P&R）、静态时序收敛及晶圆代工协同的全周期技术交付。支持12nm/28nm/40nm等成熟与先进制程，保障高计算密度、超低功耗与99.6%的首发流片良率。
J9制程选型与IP技术检索
支持快速筛选工艺节点、总线协议以及封装形态，定位契合具体应用场景的专用集成电路方案。
全栈EDA环境与深纳米芯片设计研发底座
作为具备端到端落地实力的J9，我们的工程中心配备了完整的工业级EDA设计服务器集群，覆盖从高级抽象系统建模、SystemVerilog/Chisel逻辑编写、UVM验证环境搭建，到物理实现阶段的Floorplan、时钟树综合（CTS）、寄生参数提取（RC Extraction）以及签核（Sign-off）级物理验证。
设计团队具备12nm、28nm及40nm工艺节点的大规模量产流片经验，掌握自研RISC-V乱序多核架构优化技术，并在片上网络（NoC）、低功耗电源管理（DVFS/Power Gating）以及数模混合高速PHY接口领域形成深厚的技术专利沉淀，助力客户在短周期内实现差异化算力突破。
J9六大关键工程能力
严谨的芯片研发流程与物理实现控制体系，确保集成电路在功耗、性能、面积（PPA）与批量良率之间达成工程最优解。
低功耗架构协同优化
深度支持UPF/CPF功耗意图描述，实施多供电域划分、动态电压频率调节（DVFS）与微安级深度休眠控制，实现芯片能效比显著跃升。
复杂高速物理接口设计
自主实现PCIe 4.0/5.0、LPDDR4/5 PHY、MIPI D-PHY及多通道SerDes等高速接口宏单元布局布线与信号完整性（SI/PI）精确匹配。
高精度数模混合IP库
拥有经过多次硅验证的超低噪声PLL、16-bit高线性度SAR/Sigma-Delta ADC以及宽带高阻放大器等成熟模拟核心模块。
多物理场仿真与热力分析
在版图级执行电迁移（EM）、静电放电（ESD）保护及IR-Drop压降深度仿真，提前规避芯片热点与大电流击穿风险。
快速流片与封测协同
无缝衔接台积电、中芯国际等多家主流Foundry制造设计规则（PDK），提供FCBGA、QFN、WLCSP等定制化先进封装设计。
量产良率控制与CP/FT测试
嵌入DFT可测性设计逻辑（Scan Chain、MBIST），开发高并行度ATE机台自动化量产测试向量，保障大批量发货良率。
J9代表性集成电路矩阵
// 覆盖边缘智能计算、精密仪器采集及工业主控等核心工况
12nm FinFET
XR-9800 边缘AI推理SoC芯片
集成八核RISC-V 64位乱序执行单元与自研3.2 TOPS INT8算力张量引擎，支持多路视频硬件编解码。
40nm BCD